| NTH4L040N120M3S - ONSEMI - SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 54A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 18V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.4V @ 10mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 75 nC @ 18 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +22V, -10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1700 pF @ 800 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 231W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-247-4L |
| Paket / Kılıf | TO-247-4 |