| EPC8009 - EPC - GANFET N-CH 65V 4A DIE | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 65 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 500mA, 5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 0.45 nC @ 5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +6V, -4V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 52 pF @ 32.5 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | - |
| Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | Die |
| Paket / Kılıf | Die |