TK100E10N1,S1X
N-Channel 100 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
ÜRETİCİ KODU
:
TK100E10N1,S1X KOPYALA
ÜRETİCİ
:
Toshiba Semiconductor and Storage KOPYALA
TEDARİKÇİ KODU
:
TK100E10N1S1X-ND KOPYALA
TEDARİKÇİ
:
Digi-KEY Electronics
TEDARİK SÜRESİ
:
7 - 10
İş Günü
PAKETLEME TİPİ
:
Tube
STOK DURUMU
:
1531
Adet (Yurt Dışı Stok!)
KDV Dahil Birim Fiyat
Satış fiyatına tüm gümrük, yurtdışı kargo ve vergi masrafları DAHİLDİR.
314,03
TL
5,26 USD +KDV
Adet
Gelince Haber Ver
Ürün Yurtiçi / Yurtdışı stoklarımıza girdiğinde sizi haberdar edelim.
Tahmini Kargoya Teslim Tarihi: 06.11.2026 - 11.11.2026
Hafta sonu ve resmi tatil tarihlerinde, sonraki ilk iş gününde kargoya verilir.
Miktar
Birim Fiyat
1
314,03
TL
5,26 USD
+KDV
10
206,48
TL
3,46 USD
+KDV
50
160,22
TL
2,68 USD
+KDV
100
145,33
TL
2,43 USD
+KDV
500
119,24
TL
2,00 USD
+KDV
Yüksek Adetli Alımlarınız İçin Lütfen Teklif İsteyiniz.
| TK100E10N1,S1X - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 100V 100A TO220 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 8800 pF @ 50 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 255W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-220 |
| Paket / Kılıf | TO-220-3 |
