| SUM90100E-GE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 7.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3930 pF @ 100 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 375W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-263 (D2PAK) |
| Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |