| TN2106K1-G - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 280mA (Tj) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 1mA |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 360mW (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-236AB (SOT23) |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |