| GS61008TTRXUMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - GS61008T-TR | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 27A, 6V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.3V @ 7mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12 nC @ 6 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +7V, -10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 590 pF @ 50 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | - |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | - |
| Paket / Kılıf | 4-SMD, No Lead |