| TK20J60W,S1VE - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.7V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1680 pF @ 300 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 165W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-3P(N) |
| Paket / Kılıf | TO-3P-3, SC-65-3 |