| FDS6898A - ONSEMI - MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9.4A |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1821pF @ 10V |
| Güç - Maks. | 900mW |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |