| ISG0614N06NM5HATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Özelliği | - |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 233A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.3V @ 86µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 102nC @ 10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 6400pF @ 30V |
| Güç - Maks. | 3W (Ta), 167W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | 10-PowerVDFN |
| Tedarikçi Paketleme | PG-VITFN-10-1 |