| G2K3N10L6 - GOFORD SEMICONDUCTOR - MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | SOT-23-6 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Güç - Maks. | 1.67W (Tc) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 536pF @ 50V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 2A, 10V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| FET Özelliği | - |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-23-6L |