| SUD50N04-8M8P-4GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40V |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 20V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |