| STB33N60DM2 - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 600V 24A | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600V |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1870pF @ 100V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 190W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | D2PAK |
| Paket / Kılıf | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |