SQM10250E_GE3
N-Channel 250 V 65A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
| SQM10250E_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 250V 65A TO263 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 250 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 7.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4050 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 375W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-263 (D2PAK) |
| Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
