RQ6C050UNTR
N-Channel 20 V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| RQ6C050UNTR - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.5V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1.25W (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TSMT6 (SC-95) |
| Paket / Kılıf | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
