| SQJ431EP-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8 | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 213mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4355 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 83W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |