| SQ2362ES-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 550pF @ 30V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 3W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |