| SIA537EDJ-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Konfigürasyon | N and P-Channel |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Güç - Maks. | 7.8W |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 12V, 20V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 455pF @ 6V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SC-70-6 Dual |