| SI4178DY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 12A 8SO | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8.4A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 405 pF @ 15 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
| Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |