| RQ3L050GNTB - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 25µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 2.8 nC @ 4.5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 300 pF @ 30 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 14.8W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-HSMT (3.2x3) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |