| FQD2N90TM - ONSEMI - MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 900 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 850mA, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |