APT11N80BC3G - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 800V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1585pF @ 25V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 156W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-247 [B] |
Paket / Kılıf | TO-247-3 |