| CSD16570Q5B - TEXAS INSTRUMENTS - MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 25 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 14000 pF @ 12 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |