| IMYH200R075M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC DISCRETE | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 2000 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 18V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 13A, 18V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.5V @ 7.7mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 64 nC @ 18 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -7V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 267W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-4-U04 |
| Paket / Kılıf | TO-247-4 |