TPH1R712MD,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 4.5V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 78W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOP Advance (5x5) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 182 nC @ 5 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 10900 pF @ 10 V |