CSD19502Q5B - TEXAS INSTRUMENTS - MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 80 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 19A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4870 pF @ 40 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |