| FDC6306P - ONSEMI - MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1.9A |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 441pF @ 10V |
| Güç - Maks. | 700mW |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Tedarikçi Paketleme | SuperSOT™-6 |