| LND250K1-G - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 500V |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 13mA (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | - |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 10pF @ 25V |
| Fet Özelliği | Depletion Mode |
| Maksimum Güç Tüketimi | 360mW (Ta) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-23 (TO-236AB) |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |