| IRLD024PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP | |
| Paketleme | Tube |
| Paket / Kılıf | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.5A, 5V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1.3W (Ta) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | 4-HVMDIP |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4V, 5V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±10V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 870 pF @ 25 V |