| IMZC120R022M2HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SICFET N-CH 1200V 80A TO247 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 18V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 32A, 18V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.1V @ 10.1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 71 nC @ 18 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -7V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2330 pF @ 800 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 329W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-4-17 |
| Paket / Kılıf | TO-247-4 |