| IMW65R060M2HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - IMW65R060M2HXKSA1 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 32.8A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 20V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 15.4A, 20V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.6V @ 3.1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 19 nC @ 18 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -7V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 669 pF @ 400 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 130W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-3-40 |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |