| IMW65R048M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 18V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 20.1A, 18V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.7V @ 6mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 33 nC @ 18 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1118 pF @ 400 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 125W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-3-41 |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |