| IMW120R090M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 | |
| Paketleme | Tube |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 115W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.7V @ 3.7mA |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-3-41 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 18V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -7V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 21 nC @ 18 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 707 pF @ 800 V |