| IMT65R163M1HXUMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SILICON CARBIDE MOSFET | |
| FET Tipi | - |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | - |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 18V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | - |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | - |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | - |
| Çalışma Sıcaklığı | - |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-HSOF-8-2 |
| Paket / Kılıf | 8-PowerSFN |