| IGT60R070D1ATMA4 - INFINEON TECHNOLOGIES - GANFET N-CH | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerSFN |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | - |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 125W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Tedarikçi Paketleme | PG-HSOF-8-3 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | - |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | -10V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 380 pF @ 400 V |