| IAUC100N04S6L025ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - IAUC100N04S6L025ATMA1 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 2.56mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 24µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±16V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2019 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 62W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TDSON-8 |
| Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |