| CSD19531Q5A - TEXAS INSTRUMENTS - MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.3V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3870 pF @ 50 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-VSONP (5x6) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |