| CGD65A055SH2 - CAMBRIDGE GAN DEVICES - 650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 27A |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 12V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 2.2A, 12V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.2V @ 10mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4 nC @ 12 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -1V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | - |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 16-DFN (8x8) |
| Paket / Kılıf | 16-PowerVDFN |