| TJ80S04M3L(T6L1,NQ - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET P-CH 40V 80A DPAK | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 158 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +10V, -20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 7770 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 100W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | 175°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | DPAK+ |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |