| IXFB60N80P - IXYS - MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 800 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 8mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 18000 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1250W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | PLUS264™ |
| Paket / Kılıf | TO-264-3, TO-264AA |