IPN50R1K4CEATMA1
N-Channel 500 V 4.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
| IPN50R1K4CEATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 500 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 13V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 900mA, 13V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 70µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 178 pF @ 100 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 5W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-SOT223-3 |
| Paket / Kılıf | TO-261-4, TO-261AA |
