| SQM110P06-8M9L_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 110A TO263 | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 7450 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 230W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-263 (D2PAK) |
| Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |