| SISH615ADN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8SH |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | P-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 22.1A (Ta), 35A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8SH |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5590 pF @ 10 V |