IMT65R163M1HXUMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SILICON CARBIDE MOSFET | |
FET Tipi | - |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | - |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 18V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | - |
Vgs(th) (Maks) @ Id | - |
Maksimum Gain Source Gerilimi | - |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | - |
Çalışma Sıcaklığı | - |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-HSOF-8-2 |
Paket / Kılıf | 8-PowerSFN |