SUD40N10-25-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 40A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |