IMW65R048M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 18V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 20.1A, 18V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.7V @ 6mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 33 nC @ 18 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -5V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1118 pF @ 400 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 125W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-3-41 |
Paket / Kılıf | TO-247-3 |