| SI2302CDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 710mW (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |