SI2302CDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 850mV @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 710mW (Ta) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |