IMW65R060M2HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - IMW65R060M2HXKSA1 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 32.8A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 20V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 15.4A, 20V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.6V @ 3.1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 19 nC @ 18 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -7V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 669 pF @ 400 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 130W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-3-40 |
Paket / Kılıf | TO-247-3 |