| TPN22006NH,LQ - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 100µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 710 pF @ 30 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |