SIJ186DP-T1-GE3
N-Channel 60 V 23A (Ta), 79.4A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| SIJ186DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 79.4A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1710 pF @ 30 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 5W (Ta), 57W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
