| IGC037S12S1XTMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 120 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 71A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 18A, 5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.9V @ 7mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±6.5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1000 pF @ 60 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.3W (Ta), 45W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TSON-6-2 |
| Paket / Kılıf | 6-PowerTDFN |